专项训练 晶胞投影图（原卷版）.docx

1、专项训练 晶胞投影图一、单选题1砷化镓与金刚石结构相似，其晶胞结构如下图甲所示，砷化镓的晶胞参数为，密度为。下列说法错误的是A晶胞中离As原子距离最近且相等的As原子有8个BGa和As的最近距离是C沿体对角线ab方向投影图如乙，若c在11处，则As的位置为7、9、11、13D1mol砷化镓中配位键的数目是2氧化锌(ZnO)的透明度高，具有优异的常温发光性能。氧化锌的两种晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A甲、乙两种晶体类型的晶胞内数目之比为21B甲中位于形成的四面体空隙中，空隙填充率为50%C乙的晶胞沿z轴的二维投影图如图丙所示D两种晶胞中的配位数均为43某钒、镓合金的晶胞结构及其晶胞沿x轴

2、投影图如下，已知：晶胞参数为a pm，为阿伏加德罗常数的值，其中原子坐标参数甲，乙。下列说法错误的是A该合金的化学式为B丙原子的坐标参数C与V距离最近且相等的Ga有4个D该合金的密度为4钙钛矿类杂化材料甲胺铅碘(CH3NH3)PbI3是新型太阳能电池的敏化剂；其晶胞结构如图1所示。已知(CH3NH3)PbI3的摩尔质量为M gmol1，下列说法中错误的是A若B代表Pb2+，则C代表IB距离A最近且等距离的C有3个CNA为阿伏加德罗常数的值，则该晶体的密度为 gcm3D若沿z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示5砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料，其晶胞结构如下图1所示，图2为

3、晶胞沿z轴的11平面投影图，已知图中球的原子坐标参数为(0，0，0)，球为(1，1，1)，下列说法错误的是A该晶体的化学式为GaAsB晶胞参数为apm C晶胞中离As原子距离最近且相等的As原子有8个D晶胞中离球距离最远的黑球的坐标参数为 (，)6过渡金属Q与镧形成的合金是一种储氢材料，其中基态Q原子的价电子排布式为，该合金的晶胞结构和z轴方向的投影图如图所示则下列说法错误的是A元素Q为B与9个Q原子配位(配位指的是周围的Q原子数，距离最近但不一定相等)C该合金的晶胞含有Q、原子个数分别为5、1D该合金的晶胞体积为7碳的另一种同素异形体金刚石，其晶胞如图3所示。已知金属钠的晶胞(体心立方堆积)

4、沿其体对角线垂直在纸平面上的投影图如图A所示，则金刚石晶胞沿其体对角线垂直在纸平面上的投影图应该是图_ (从AD图中选填)。ABCD8有一种氮化硼晶体的结构与金刚石相似，其晶胞如图所示。氮化硼晶胞的俯视投影图是_。ABCD9硅酸盐与二氧化硅一样，都是以硅氧四面体作为基本结构单元。硅氧四面体可以用投影图表示成：其中O表示氧原子，中心黑点表示硅原子。硅氧四面体通过不同方式的连接可以组成各种不同的硅酸根离子。试确定在无限长的单链阴离子中(见下图)，硅原子与氧原子的个数之比为A1:2B1:3C2:5D2:710SiO2是合成“中国蓝”的重要原料之一。如图是SiO2晶胞中Si原子沿z轴方向在xy平面的投

5、影图（即俯视投影图，O原子略去。），Si原子旁标注的数字是Si原子位于z轴的高度，则SiA与SiB的距离是AdBdCdDd11石墨是层状结构，许多分子和离子可以渗入石墨层间形成插层化合物。Li+插入石墨层中间，形成晶体结构如图(a)，晶体投影图如图(b)。若该结构中碳碳键键长为apm，碳层和锂层相距dpm(用NA表示阿伏加德罗常数的值)。下列说法错误的是ALi+插入石墨层中间改变了石墨的堆积方式B该化合物的化学式为LiC6C同层Li+最近距离为3apmD该晶体的密度为1030gcm-312在硅酸盐中，四面体(如图甲为俯视投影图)通过共用顶角氧原子可形成单链状(图乙)、双链状(图丙)等多种结构。

6、其中，石棉为由钙、镁离子以离子数13的比例与单链状硅酸根离子形成的一种硅酸盐，下列说法不正确的是A硅氧四面体结构决定了大多数硅酸盐材料硬度高B单链状硅酸盐中硅氧原子数之比为13C石棉的化学式为D双链状硅酸盐中硅氧原子数之比为2513渗入石墨层间形成的插层化合物既可作乙烷脱氢的催化剂，又作储氢材料，其储氢量与肼相当。一种插层化合物的六方晶胞如图1所示，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是A中大于中B同条件下的沸点高于C插层化合物的密度为D图2可表示插层化合物沿z轴的局部投影图二、多选题14体复杂结构的三维表示往往难以在二维图上绘制和解释，可以从晶胞的一个方向(通常选择晶胞的一个轴的方向)往下

7、看，得到该方向的投影图，原子分数坐标(将原子位置的坐标表示为晶胞棱长的分数)标注原子位置，如图1为面心立方晶胞的投影。已知某硅的硫化物晶胞的投影如图2所示，其晶胞参数为anm，晶胞密度为gcm-3.下列说法正确的是A该硅的硫化物化学式为SiS2BSi与S原子的最近距离为nmC与Si紧邻的4个S原子呈四面体构型D阿伏加德罗常数可表示为三、填空题15铅(Pb)的一种晶胞模型如图1所示，为更清晰地表示晶胞中原子所在的位置，常将立体晶胞结构转化为平面投影图，例如沿晶胞的c轴将原子投影到ab平面，即可用如图2表示。图2中c2= 、c4= ；晶胞参数为apm，该晶胞的密度为 gcm-3(列出计算式，设NA

8、表示阿伏加德罗常数的值)。16 铬、钙、氧可形成一种具有特殊导电性的复合氧化物，其晶胞结构如图甲所示。该化合物的化学式为 。请在图乙中画出该晶胞沿z轴方向的氧离子的投影图 。氧离子与钙离子的最近距离为apm阿佛伽德罗常数为NA，则该复合氧化物晶体的密度为 gcm-3(列出计算式) 。17回答下列问题：(1)分别用、表示和，晶体的四方晶胞如图(a)所示，图(b)、图(c)分别显示的是、在晶胞面、面上的位置：若晶胞底边的边长均为、高为，阿伏伽德罗常数的值为，晶体的密度为 (写出表达式)。晶胞在轴方向的投影图为 (填标号)。A、 B、 C、 D、(2)硼化钙可用于新型半导体材料，一种硼化钙的晶胞结构

9、及沿z轴方向的投影图如图所示，硼原子形成的正八面体占据顶角位置。若阿伏伽德罗常数的值为NA，则晶体密度= gcm-3。(3)过渡金属Q与镧形成的合金是一种储氢材料，其中基态Q原子的价电子排布式为，该合金的晶胞结构和z轴方向的投影图如图所示。若阿伏伽德罗常数的值为，则该合金的密度 (用含a、c、的代数式表示，列出计算式即可；Q的相对原子质量用M元素符号表示)。(4)的晶胞结构如图所示：已知的摩尔质量为，为阿伏伽德罗常数的值，则该晶体的密度为 。该晶胞沿体对角线方向的投影图 (填标号)。a b c d18一种含锡的多元金属硫化物的晶胞结构为四方晶系，已知金属原子均呈四面体配位，晶胞棱边夹角均为90

10、，其结构可看作是由两个立方体A、B上下堆叠而成。如图，甲为A的体对角线投影图，乙为B的沿y轴方向的投影图。A中Fe、Sn位置互换即为B。该硫化物的化学式为 ，晶胞中Sn的配位数与Cu的配位数之比为 。立方体A、B棱长均为a pm，以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子的分数坐标。晶胞中部分原子的分数坐标为、，则晶胞中Sn原子的分数坐标为 ；晶胞中Sn原子和Cu原子间的最短距离为 pm。19立方氮化硼属于原子晶体，其晶胞结构如图1所示，可认为氮原子处于硼原子围成的某种空隙中，则氮原子处于硼原子围成的 (填空间结构)空隙中。图2是立方氮化硼晶胞沿z轴的投影图，请在图中圆球上涂“”标明N的相对位置 。【答案】 正四面体 【详解】立方氮化硼属于原子晶体，其晶胞结构如图1所示，晶胞中每个N原子连接4个B原子，这4个B原子构成以N原子为体心的正四面体结构，图2是立方氮化硼晶胞沿z轴的投影图，在图中圆球上涂“”标明N的相对位置为，答案为正四面体，