专项训练 晶胞正八面体空隙的计算（原卷版）.docx

1、专项训练 晶胞正八面体空隙的计算一、单选题1氮化钼作为锂离子电池负极材料具有很好的发展前景。它属于填隙式氮化物，原子部分填充在原子立方晶格的八面体空隙中，晶胞结构如图所示，其中氮化钼晶胞参数为，下列说法正确的是A氮化钼的化学式为B相邻两个最近的原子的距离为C晶体的密度D每个钼原子周围与其距离最近的钼原子有个2的晶胞与相似，但由于的结构导致晶胞沿一个方向拉长(如图)，已知的摩尔质量为，若阿佛伽德罗常数的值为，下列说法错误的是A填充在围成的八面体空隙中B每个周围等距紧邻的有6个C两个最近之间的距离为D晶体密度的计算式为3钴蓝是一种高性能的环保无毒无机颜料，其晶体结构如图所示，该立方晶胞由4个型和4

2、个型小立方体构成。下列说法错误的是A钴蓝晶体的化学式为B晶体中原子占据O原子形成的八面体空隙C晶胞中原子占据顶点和面心的位置D钴蓝晶体的密度为4新型超导材料晶体的晶胞结构中镁原子和镍原子位于顶点和面心，它们构成两种八面体空隙，一种由镍原子构成，另一种由镍原子和镁原子一起构成，两种八面体空隙的数量之比是13，碳原子只填充在镍原子构成的八面体空隙中，沿晶胞立方格子对角线取得的截图如图所示。下列说法错误的是A基态Ni原子的价电子排布式为B该新型超导材料的化学式为CMg的C配位数为6D若晶胞参数 nm，该晶体密度为 gcm(为阿伏加德罗常数的值)5沃斯田铁是钢铁的一种层片状的显微组织，通常是中固溶少量

3、碳的无磁性固溶体，因铁原子构成的八面体间隙较大，可以容纳更多的碳，其立方晶胞如图所示。设表示阿伏加德罗常数的值，下列有关沃斯田铁的说法错误的是A化学式为B周围等距且最近的有12个C晶体中含有原子构成的八面体空隙数目为D设晶胞参数为，晶体的密度为6金属钛(Ti)与氮形成的某种化合物常被用作高温结构材料和超导材料。研究表明，用Al代替其中部分的Ti可提升耐磨性5倍以上，掺杂Al后的晶胞结构如图所示。已知该晶体属立方晶系，阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法不正确的是Ab点原子的分数坐标为(1，)B掺杂Al后，晶体中Ti：Al：N=3：1：4C氮化钛晶胞中，Ti原子位于N原子形成的八面体空隙中D已知最

4、近的两个N原子之间的距离为cnm，则氮化钛晶体的密度为7下表是常见晶胞结构，下列说法正确的是金刚石干冰A金刚石是共价晶体，熔点关系为：金刚石晶体硅碳化硅B晶胞中，位于所构成的八面体空隙中C是金属晶体，与距离最近的有6个D干冰是分子晶体，由于分子间作用力弱，所以干冰熔点低8一种由镍、氟和钾三种元素组成的化合物晶体结构如图所示，下列说法错误的是A该化合物的化学式是K2NiF4BNi位于F原子构成的八面体空隙中C图中A、B原子间的距离为pmD该晶体结构由3个晶胞组成9由金、氯、铯三种元素组成的晶体M的晶胞结构如图所示(为铯，为氯，为金)，其中金原子有两种不同的化学环境，形成2种1价的配离子。设阿伏加

5、德罗常数的值为NA，下列说法错误的是AM的化学式为CsAuClB金原子形成的两种配离子分别为AuCl、AuClC位于体心的Au处于由Au构成的八面体空隙中D金晶体(Au)是面心立方堆积，其晶胞参数为408pm，金晶体密度为 gcm3 10某Ba-Ti-O晶体具有良好的电学性能，其晶胞为立方晶胞(如图)，晶胞参数为a pm。设阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法错误的是A化学式为B的配位数为6C位于的八面体空隙D晶体的密度为11氮化钼属于填隙式氮化物，N原子填充在金属钼(Mo)晶胞的部分八面体空隙中(如图)，晶胞中各棱边夹角均为90。下列说法错误的是A一个钼晶胞中的四面体空隙数为8个B氮化钼晶胞中

6、与N原子紧邻的Mo原子有6个C将Li+填入氮化钼晶胞的八面体空隙中，每个晶胞最多还能填入4个Li+D氮化钼晶体的密度为gcm-312超氧化钾被称为“化学氧自救剂”，主要用于煤矿井下急救。如图为超氧化钾晶体的一个晶胞(该晶胞为立方晶胞，结构与晶胞相似)。则下列有关说法正确的是 A固态超氧化钾可以导电B超氧化钾晶体中只存在离子键C超氧化钾的化学式为，熔点高于D位于构成的八面体空隙中，晶体中与的配位数是613一种立方体晶胞，晶胞中K、O、I分别处于顶点、面心、体心位置，如图所示。下列说法错误的是A该物质的化学式为B与K紧邻O的个数为12CI处于O围成的八面体空隙中D若该晶胞中I处于各顶点位置，则O处

7、于体心位置二、多选题14中科院福建物质结构研究所陈学元团队将掺杂(晶胞结构为a)获得空位有序型双钙钛矿纳米晶体(晶胞结构为b)，过程如图所示。若a和b的晶胞参数均为，下列说法正确的是Aa中的位于组成的八面体空隙中Bb中两个最近的的距离为C和的中心原子的价层电子对数不相同D晶体b的密度为15助催化剂(如图1)可直接选择性氧化甲烷制甲醇，催化机理如图2，其中虚线表示吸附状态。制备方法如下：下列说法错误的是A图中X、Y分别为和B生成过程中溶液变大Cii转化为iii的过程中，破坏的微粒间作用力有极性键、非极性键和离子键D中位于O原子形成的八面体空隙中16含Cu、Zn、Sn及S的四元半导体化合物的四方晶

8、胞结构如图所示，以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中的原子位置，称作原子分数坐标。图中M原子的分数坐标为(，)。下列说法正确的是A图中W原子的分数坐标为(，)B该半导体化合物的化学式为CuZnSnS3CZn、Sn均位于S原子组成的八面体空隙中D基态S原子中两种自旋状态的电子数之比为7：917钴蓝是一种高性能的环保无毒无机颜料，其晶体结构如图所示，该立方晶胞由4个型和4个型小立方体构成。下列说法错误的是A钴蓝晶体的化学式为CoAl2O4B晶体中Al原子占据O原子形成的八面体空隙C晶胞中Co原子占据顶点和面心的位置D钴蓝晶体的密度为gcm-318研究低温超导体材料的性能对解决能源危机有重要意义。金属K与C60形成的一种低温超导材料的立方晶胞结构如图所示，晶胞边长都为apm，K原子位于晶胞的棱上与内部。下列说法正确的是A该材料的化学式为KC60BC60周围等距且最近的C60的个数为4个C棱上K原子处在C60构成的八面体空隙中DC60与C60的最短距离是apm