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类型专项训练 晶胞正八面体空隙的计算(解析版).docx

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  • 上传时间:2025-12-15
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    专项训练 晶胞正八面体空隙的计算解析版 专项 训练 晶胞 正八面体 空隙 计算 解析
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    1、专项训练 晶胞正八面体空隙的计算(解析版)一、单选题1氮化钼作为锂离子电池负极材料具有很好的发展前景。它属于填隙式氮化物,原子部分填充在原子立方晶格的八面体空隙中,晶胞结构如图所示,其中氮化钼晶胞参数为,下列说法正确的是A氮化钼的化学式为B相邻两个最近的原子的距离为C晶体的密度D每个钼原子周围与其距离最近的钼原子有个【答案】D【详解】A根据物质结构可知该晶胞中含有Mo原子数目是:8+6=4,含有的N原子数目是:1+4=2,Mo:N=4:2=2:1,因此氮化钼的化学式为Mo2N,A错误;B根据晶胞结构可知:在该晶体中2个最近的N原子位于面对角线的一半,则其距离是L=nm,B错误;C该晶胞的密度=

    2、,C错误;D以顶点的Mo原子为研究对象,通过该顶点能够形成8个晶胞,在一个晶胞中与该Mo原子等距离的Mo原子有3个,分别位于通过该Mo原子三个平面的面心上,每个Mo原子被重复计算了2次,则每个钼原子周围与其距离最近的钼原子有,D正确;故选D。2的晶胞与相似,但由于的结构导致晶胞沿一个方向拉长(如图),已知的摩尔质量为,若阿佛伽德罗常数的值为,下列说法错误的是A填充在围成的八面体空隙中B每个周围等距紧邻的有6个C两个最近之间的距离为D晶体密度的计算式为【答案】B【详解】A由晶胞结构可知,为面心立方紧密堆积,填充在围成的八面体空隙中,故A正确;B该晶胞不是正方体,以面心为研究对象,每个周围等距紧邻

    3、的不是6个,故B不正确;C由晶胞结构可知,两个最近之间的距离为地面对角线的一半,为,故C正确;D晶体中Ca2+的个数为8+6=4,的个数为1+12=4,密度的计算式为,故D正确;故选B。3钴蓝是一种高性能的环保无毒无机颜料,其晶体结构如图所示,该立方晶胞由4个型和4个型小立方体构成。下列说法错误的是A钴蓝晶体的化学式为B晶体中原子占据O原子形成的八面体空隙C晶胞中原子占据顶点和面心的位置D钴蓝晶体的密度为【答案】D【详解】A 、各一个正方体为重复单元,该重复单元中Co原子个数=个, 型和型合起来的长方体中含有4个Al和8个O,晶胞内有4个型和型合起来的长方体,因而晶胞内总计有16个A1和32个

    4、O, Co、Al、O个数比为8: 16: 32=1:2:4,蓝晶体的化学式为,A正确;B补全结构可知氧离子形成的正八面体,如图 ,晶体中铝离子在氧离子形成的八面体空隙,B正确;C从图分析可知,原子占据顶点和面心的位置,C正确;D晶胞相当于有8个,故晶胞的质量为,故钴蓝晶体的密度g/cm3,D错误;故选D。4新型超导材料晶体的晶胞结构中镁原子和镍原子位于顶点和面心,它们构成两种八面体空隙,一种由镍原子构成,另一种由镍原子和镁原子一起构成,两种八面体空隙的数量之比是13,碳原子只填充在镍原子构成的八面体空隙中,沿晶胞立方格子对角线取得的截图如图所示。下列说法错误的是A基态Ni原子的价电子排布式为B

    5、该新型超导材料的化学式为CMg的C配位数为6D若晶胞参数 nm,该晶体密度为 gcm(为阿伏加德罗常数的值)【答案】C【详解】ANi为第四周期第族的28号元素,基态Ni原子核外电子排布式为(或),故其价电子排布式为,A正确。B第一步:根据题给信息分析晶胞的结构图。在题述晶胞中,八面体空隙的中心位于体心位置和所有棱心位置,它们的比例是13,中心处于体心位置的八面体由镍原子构成,可填入碳原子,而中心处于棱心位置的八面体由2个镁原子和4个镍原子一起构成,不填碳原子,所以C处于体心位置,则Mg处于顶点位置,Ni处于面心位置,该超导材料晶体的结构如图所示: 。第二步:根据均摊法得出晶胞中Mg、Ni、C的

    6、个数。晶胞中含Mg的个数为,含Ni的个数为,含C的个数为1.第三步:根据个数比得出化学式。该新型超导材料的化学式为,B正确。C由图可知,与Mg距离最近的C的个数为8,配位数为8,C错误。D该晶体密度 gcm,D正确。故选C。5沃斯田铁是钢铁的一种层片状的显微组织,通常是中固溶少量碳的无磁性固溶体,因铁原子构成的八面体间隙较大,可以容纳更多的碳,其立方晶胞如图所示。设表示阿伏加德罗常数的值,下列有关沃斯田铁的说法错误的是A化学式为B周围等距且最近的有12个C晶体中含有原子构成的八面体空隙数目为D设晶胞参数为,晶体的密度为【答案】C【详解】A由晶胞结构可知,1个晶胞中含有C原子数12+1=4,含有

    7、Fe原子数为8+6=4,所以化学式为FeC,故A正确;B由晶胞结构可知,周围等距且最近的有12个,故B正确;C晶体中n(FeC)=0.1mol,每个晶胞中含有4个FeC,所以晶胞的物质的量为=0.025mol,每个晶胞中含有八面体空隙为1+=4,则晶体中含有原子构成的八面体空隙数目为,故C错误;D晶胞参数为,晶体的密度=,故D正确;故选C。6金属钛(Ti)与氮形成的某种化合物常被用作高温结构材料和超导材料。研究表明,用Al代替其中部分的Ti可提升耐磨性5倍以上,掺杂Al后的晶胞结构如图所示。已知该晶体属立方晶系,阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法不正确的是Ab点原子的分数坐标为(1,)B掺杂A

    8、l后,晶体中Ti:Al:N=3:1:4C氮化钛晶胞中,Ti原子位于N原子形成的八面体空隙中D已知最近的两个N原子之间的距离为cnm,则氮化钛晶体的密度为【答案】D【详解】A b点原子的分数坐标为,选项A正确;B结合晶胞结构,Ti为12=3,Al为1,N为8+6=4,晶体中,选项B正确;C由晶胞结构可知,钛原子位于氮原子构成的八面体空隙中,选项C正确;D最近的两个N原子之间的距离为,则晶胞边长为cnm,氮化钛晶体中Ti为12+1=4,N为8+6=4,则化学式为TiN,密度为=,选项D不正确;答案选D。7下表是常见晶胞结构,下列说法正确的是金刚石干冰A金刚石是共价晶体,熔点关系为:金刚石晶体硅碳化

    9、硅B晶胞中,位于所构成的八面体空隙中C是金属晶体,与距离最近的有6个D干冰是分子晶体,由于分子间作用力弱,所以干冰熔点低【答案】D【详解】A碳化硅中的Si-C键长比晶体硅中Si-Si键长短,键能更大,熔点高,所以熔点:碳化硅晶体硅,金刚石中C-C键比Si-C键长短,所以熔点:金刚石碳化硅,综上熔点:金刚石碳化硅晶体硅,故A错误;B如图,ZnS晶胞中, 位于ZnS晶胞面心,所以位于所构成的八面体空隙中,故B错误;C如图,从Fe的晶胞中可以看出,每个Fe原子周围与Fe原子最近的Fe原子有8个,故C错误;D干冰属于分子晶体,且只存在分子间作用力,由于分子间作用力弱,所以干冰熔点低,故D正确;故选D。

    10、8一种由镍、氟和钾三种元素组成的化合物晶体结构如图所示,下列说法错误的是A该化合物的化学式是K2NiF4BNi位于F原子构成的八面体空隙中C图中A、B原子间的距离为pmD该晶体结构由3个晶胞组成【答案】D【详解】A均摊法写出化学式,K个数=2+8=4,Ni的个数=8+1=2,F的个数=16+2+4=8,故K、Ni、F三者比例为2:1:4,对应化学式为:K2NiF4,A正确;B由晶胞图像可知Ni位于F原子构成的八面体空隙中,B正确;C以体心Ni作为参考,周围离其最近的氟个数为6,故Ni配位数为6;棱上8个K围成长方体结构,其高等于(b-2c) pm,底面为正方形,边长为a pm,AB之间距离为长

    11、方体体对角线一半,底面对角线长度为,体对角线长度=,则AB距离为,C正确;D晶胞的形状、大小与空间格子的平行六面体单位相同,保留了整个晶格的所有特征。故该晶体结构由1个晶胞组成,D错误;故选D。9由金、氯、铯三种元素组成的晶体M的晶胞结构如图所示(为铯,为氯,为金),其中金原子有两种不同的化学环境,形成2种1价的配离子。设阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法错误的是AM的化学式为CsAuClB金原子形成的两种配离子分别为AuCl、AuClC位于体心的Au处于由Au构成的八面体空隙中D金晶体(Au)是面心立方堆积,其晶胞参数为408pm,金晶体密度为 gcm3 【答案】A【详解】A根据晶胞结构知,

    12、金和氯形成的2种配离子分别为AuCl、AuCl,金元素分别显+1价和+3价,1个晶胞中有8个AuCl位于顶点和1个AuCl位于体内,则AuCl个数,4个AuCl位于棱上,2个AuCl位于面心,AuCl个数,8个Cs位于面上,则Cs有4个,因此M的化学式为CsAuCl3,故A错误;B根据图中信息金原子形成的两种配离子分别为AuCl、AuCl,故B正确;C由晶胞结构可知位于体心的Au周围有6个Au,这6个Au构成八面体,则位于体心的Au处于由Au构成的八面体空隙中,故C正确;D金晶体(Au)是面心立方堆积,所以每个晶胞中含有金原子个数为,其晶胞参数为408pm,金晶体密度为,故D正确。 综上所述,

    13、答案为A。10某Ba-Ti-O晶体具有良好的电学性能,其晶胞为立方晶胞(如图),晶胞参数为a pm。设阿伏加德罗常数的值为NA,下列说法错误的是A化学式为B的配位数为6C位于的八面体空隙D晶体的密度为【答案】B【详解】A位于顶点,晶胞中其数目为1,位于体心,晶胞中其数目为1,位于面心,晶胞中其数目为3,故化学式为,A正确;B由晶胞结构可知,周围有12个,则的配位数为12,B错误;C位于的八面体空隙,C正确;D位于面心,晶胞中其数目为3,分子式为,所以其密度为,D正确;故选B。11氮化钼属于填隙式氮化物,N原子填充在金属钼(Mo)晶胞的部分八面体空隙中(如图),晶胞中各棱边夹角均为90。下列说法

    14、错误的是A一个钼晶胞中的四面体空隙数为8个B氮化钼晶胞中与N原子紧邻的Mo原子有6个C将Li+填入氮化钼晶胞的八面体空隙中,每个晶胞最多还能填入4个Li+D氮化钼晶体的密度为gcm-3【答案】C【详解】A由晶胞结构可知,钼晶胞为面心立方结构,晶胞中位于顶点和面心的钼原子个数为8+6=4,所以晶胞中的四面体空隙数为8个,故A正确;B由晶胞结构可知,氮化钼晶胞中位于体心的氮原子与位于面心的钼原子的距离最近,则与N原子紧邻的Mo原子有6个,故B正确;C由晶胞结构可知,氮化钼晶胞中位于顶点和面心的钼原子个数为8+6=4,位于体心和棱上的氮原子个数为4+1=2,晶胞中八面体空隙数为4,其中2个被氮原子填

    15、充,所以将锂离子填入氮化钼晶胞的八面体空隙中,每个晶胞最多还能填入2个锂离子,故C错误;D由晶胞结构可知,氮化钼晶胞中位于顶点和面心的钼原子个数为8+6=4,位于体心和棱上的氮原子个数为4+1=2,晶体的化学式为Mo2N,设晶体的密度为dg/cm3,由晶胞的质量公式可得:=1021a3d,解得d=,故D正确;故选C。12超氧化钾被称为“化学氧自救剂”,主要用于煤矿井下急救。如图为超氧化钾晶体的一个晶胞(该晶胞为立方晶胞,结构与晶胞相似)。则下列有关说法正确的是 A固态超氧化钾可以导电B超氧化钾晶体中只存在离子键C超氧化钾的化学式为,熔点高于D位于构成的八面体空隙中,晶体中与的配位数是6【答案】

    16、D【详解】A固态超氧化钾没有可以自由移动的离子,不能导电,A错误;B超氧化钾晶体中两个氧原子之间是共价键,B错误;C两者都为离子晶体,其中钾离子半径大,故晶格能大,熔点低,C错误;D由晶胞结构可知,位于构成的八面体空隙中,晶体中与的配位数是6,D正确;故选D。13一种立方体晶胞,晶胞中K、O、I分别处于顶点、面心、体心位置,如图所示。下列说法错误的是A该物质的化学式为B与K紧邻O的个数为12CI处于O围成的八面体空隙中D若该晶胞中I处于各顶点位置,则O处于体心位置【答案】D【详解】A根据均摊原则,晶胞中含有K原子数=1、O原子数、I原子数1,该物质的化学式为,故A正确;B根据图示,与K紧邻O的

    17、个数为12,故B正确;C与I距离最近且距离相等的O有6个,I处于O围成的八面体空隙中,故C正确;D若该晶胞中I处于各顶点位置,则O处于楞上,故D错误;选D。二、多选题14中科院福建物质结构研究所陈学元团队将掺杂(晶胞结构为a)获得空位有序型双钙钛矿纳米晶体(晶胞结构为b),过程如图所示。若a和b的晶胞参数均为,下列说法正确的是Aa中的位于组成的八面体空隙中Bb中两个最近的的距离为C和的中心原子的价层电子对数不相同D晶体b的密度为【答案】BD【详解】Aa中位于晶胞的顶点和面心,位于组成的四面体空隙中,故A错误;B根据图示,b中两个最近的的距离为面对角线的一半,为,故B正确;C有1个空位,所以和的

    18、中心原子的价层电子对数相同,故C错误;D根据均摊原则,数为、数为、Cs+数为8,晶体b的密度为,故D正确;选BD。15助催化剂(如图1)可直接选择性氧化甲烷制甲醇,催化机理如图2,其中虚线表示吸附状态。制备方法如下:下列说法错误的是A图中X、Y分别为和B生成过程中溶液变大Cii转化为iii的过程中,破坏的微粒间作用力有极性键、非极性键和离子键D中位于O原子形成的八面体空隙中【答案】BC【详解】A根据原子守恒,X、Y分别为H2O和CH3OH,A正确;BAl(NO3)3.9H2O生成Al/MIL-53时,除了生成Al/MIL-53外还生成硝酸,所以pH变小,B错误;Ci转化为iii的过程中,断开了

    19、H-O键、-O-O-键,没有离子键的破坏,C错误;D根据图示,Fe3+ 位于O原子形成的八面体空隙中,D正确;故答案为:BC。16含Cu、Zn、Sn及S的四元半导体化合物的四方晶胞结构如图所示,以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中的原子位置,称作原子分数坐标。图中M原子的分数坐标为(,)。下列说法正确的是A图中W原子的分数坐标为(,)B该半导体化合物的化学式为CuZnSnS3CZn、Sn均位于S原子组成的八面体空隙中D基态S原子中两种自旋状态的电子数之比为7:9【答案】AD【详解】A根据M原子的分数坐标,可知W原子的分数坐标为(,),故A正确;B根据均摊原则,晶胞中位于面上的Cu原子

    20、数为 、位于顶点和体心的Zn原子数为、位于棱上和面心的Sn原子数为 、位于晶胞内部的S原子数为8,则该半导体化合物的化学式为Cu2ZnSnS4,故B错误;CZn、Sn均位于S原子组成的四面体空隙中,故C错误;D基态S原子的电子排布图为 ,两种自旋状态的电子数之比为7:9,故D正确;选AD。17钴蓝是一种高性能的环保无毒无机颜料,其晶体结构如图所示,该立方晶胞由4个型和4个型小立方体构成。下列说法错误的是A钴蓝晶体的化学式为CoAl2O4B晶体中Al原子占据O原子形成的八面体空隙C晶胞中Co原子占据顶点和面心的位置D钴蓝晶体的密度为gcm-3【答案】CD【详解】A 、各一个正方体为重复单元,根据

    21、“均摊法”,该重复单元中有个Co、 4个Al、8个O,晶胞内有4个型和型合起来的长方体,因而晶胞内总计有8个Co 、16个A1、32个O, Co、Al、O个数比为8: 16: 32=1:2:4,蓝晶体的化学式为,A正确;B从图分析可知,距离铝原子最近且相邻的氧原子为6个,6个氧原子构成八面体,晶体中铝离子在氧离子形成的八面体空隙,B正确;C从图分析可知,原子除了占据顶点和面心的位置,还有钴原子位于晶胞内部,C错误;D晶胞相当于有8个,故晶胞的质量为,故钴蓝晶体的密度g/cm3,D错误;故选CD。18研究低温超导体材料的性能对解决能源危机有重要意义。金属K与C60形成的一种低温超导材料的立方晶胞

    22、结构如图所示,晶胞边长都为apm,K原子位于晶胞的棱上与内部。下列说法正确的是A该材料的化学式为KC60BC60周围等距且最近的C60的个数为4个C棱上K原子处在C60构成的八面体空隙中DC60与C60的最短距离是apm【答案】CD【详解】A由晶胞结构可知,晶胞中位于顶点和面心的C60个数为8+6=4,位于棱上、体心和体内的钾原子的个数为12+1+8=12,则该材料的化学式为K3C60,故A错误;B由晶胞结构可知,位于顶点的C60与位于面心的C60距离最近,则一个晶胞中有3个位于面心的C60与顶点C60等距且最近,顶点C60可以形成8个晶胞,每个面心C60为2个晶胞共有,所以C60周围等距且最近的C60的个数为=12,故B错误;C棱上K原子处在顶点和面心的C60构成的八面体空隙中,故C正确;D由晶胞结构可知,C60与C60的最短距离是面对角线的,则C60与C60的最短距离是apm,故D正确;故选CD。

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